SK海力士评估将英特尔纳入HBM基础芯片代工以降低对台积电依赖并提升议价能力

SK海力士正在评估将英特尔纳入高带宽内存（HBM）基础芯片代工体系，计划最早从第七代高带宽内存HBM4E起，将部分此前委托台积电生产的基础芯片转交英特尔代工，以降低成本和分散供应链。基础芯片位于HBM结构最底层，负责连接GPU、CPU等外部处理器与HBM之间的高速数据接口，其技术规格和成本直接影响整体产品竞争力。目前HBM4已实现量产，SK海力士正就构建多供应商体系进行评估。

在已量产的HBM4中，台积电采用12纳米级工艺生产的基础芯片，成本比SK海力士以1b（10纳米级第五代）工艺制造的核心芯片高出3至4倍。由于HBM产品中长期供应合同占比较高，代工成本上涨难以即时转嫁至终端产品售价。HBM4世代起，基础芯片可根据不同客户AI加速器的架构与性能需求进行差异化设计，定制化需求有所上升。SK海力士计划通过引入第二供应商，在不同代工工艺之间进行灵活调配。

SK海力士美洲封装工程副总裁在美国硅谷举行的“Hot Chips”会议上表示，公司正在对台积电的CoWoS-S、CoWoS-L以及英特尔的EMIB等先进封装方案进行比较分析和测试。SK海力士回应称，有关公司技术路线图的相关内容难以确认，部分内容与事实不符，未予正面证实。