长鑫科技登陆科创板首日涨465.82%市值3.28万亿元，一季度营收508亿元净利润330亿元

7月27日，长鑫科技登陆科创板。发行价8.66元，收盘49元，首日涨幅465.82%。按收盘价计算，总市值约3.28万亿元，超过工商银行，成为当日A股市值第一。全天成交额约1411.87亿元，刷新A股个股单日成交纪录。

2026年一季度，长鑫实现营业收入508.00亿元，净利润330.12亿元，其中归属于母公司股东的净利润为247.62亿元。截至2025年末，公司累计未弥补亏损为366.50亿元。

美光科技2021年提出未来十年在全球制造和研发领域投入1500亿美元以上。2022年《芯片与科学法案》通过后，美光宣布在本十年内投资400亿美元建设美国本土先进存储制造能力。2025年，美光把美国制造与研发投资计划扩大到约2000亿美元。纽约州克莱的第一罐混凝土已于7月完成浇筑，比原计划提前一个多季度。美国政府此前向美光在爱达荷州和纽约州的项目提供了约61亿美元《芯片与科学法案》直接拨款。美光2025年宣布累计获得第6万件专利。

长鑫的早期DRAM技术积累与奇梦达有关。2015年，WiLAN旗下Polaris以约3000万欧元从英飞凌收购了约7000项奇梦达专利和专利申请。2019年，长鑫与Polaris签署了涉及部分奇梦达DRAM专利的许可协议和独立专利收购协议。奇梦达在2008年前后率先推进埋入式字线架构，并在2009年申请破产。2016年，合肥启动“506”项目，原始方案中首期总投资约180亿元，合肥方面出资约144亿元。

2026年一季度，传统DRAM合约价环比上涨93%至98%。DDR5现货价格从约4.68美元涨至34.08美元。

招股书披露，长鑫2025年第四季度全球DRAM收入份额为7.67%。SemiAnalysis估算，2026年一季度长鑫DRAM平均售价仅比三巨头低约5%至10%。

长鑫招股书没有披露HBM3的具体良率、量产时间、客户验证结果。三星和SK海力士已经分别宣布向客户提供HBM4E样品。

苹果正在寻求美国政府批准从长鑫采购部分DRAM，该消息最初由英国《金融时报》援引知情人士报道，苹果和美国政府尚未公开确认。

2015至2025年间，DRAM产品价格最高达到7.89美元/GB，最低为1.78美元/GB，峰谷相差约4.4倍。奇梦达在2009年申请破产，尔必达在2012年申请破产保护。

SemiAnalysis估算，2026年一季度长鑫位元出货量仅环比增长11%，平均售价却环比上涨约57%。

2025年中国集成电路进口额约4243.33亿美元，同比增长10.1%。招股书显示，长鑫对一般经销商客户通常采取全额预付款方式。

韩国媒体近期援引业界人士称，长鑫正在探索Bonded DRAM，即把存储阵列和外围控制电路分别制造，再通过晶圆键合实现三维连接。该消息尚未得到长鑫公开确认。

长鑫本次初始发行约66.88亿股，发行价8.66元，初始发行募资总额约579.19亿元。招股书原拟使用募集资金净额295亿元投向三个项目：75亿元用于生产线技术升级，130亿元用于DRAM技术升级，90亿元用于前瞻DRAM技术研发。

长鑫是全球第四大DRAM厂商，来自中国大陆，拥有规模化产能和持续扩产能力。