三星电子公布3D内存路线图，推出zHBM及zNAND-O和V10 BV-NAND架构

当地时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上首次公开zHBM和zNAND-O两款概念产品，并推出业界首款采用晶圆键合架构、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND闪存。三星电子首席技术官宋载赫表示，产品名中的“z”代表Z轴，象征将HBM或NAND沿垂直方向堆叠。传统设计中，HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，即2.5D封装；zHBM通过缩短AI处理器与内存之间的数据传输距离，提供更高带宽和能效。结合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍，热阻降低逾50%。

与zHBM一同推出的zNAND-O是一款面向端侧AI的高性能NAND闪存解决方案，结合V-NAND垂直堆叠技术与硅通孔（TSV）技术进行3D封装，目标量产时间为2028年，将提供四层和八层两种版本。该技术支持移动和端侧设备中的实时大规模数据处理。三星电子方面澄清，zNAND-O与SK海力士的HBF概念相近，但HBF设计初衷是在服务器端填补AI加速器旁侧的内存分层空缺，而zNAND-O定位为面向端侧设备存储大型模型。

三星电子还发布了V10 BV-NAND，这是其首款采用晶圆键合（Bonding V-NAND）架构的3D NAND产品。晶圆键合架构将单元和电路分别制造后垂直连接，通过三层堆叠技术实现超过400层的堆叠。与上一代V9相比，V10 BV-NAND的存储密度提高约58%，并在读取、写入及I/O性能方面有所突破。该产品是继2013年三星首次推出V-NAND技术13年后的又一里程碑。

在大会期间，三星电子展示了约30项前沿内存与存储技术，包括HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及企业级存储PM1763等产品。三星已于2026年2月利用1c DRAM和4纳米基础裸片技术率先量产HBM4，并于5月向全球客户出货HBM4E样品。LPDDR5X-PIM是业界首款集成内存内计算（PIM）技术的LPDDR内存，支持在内存内部直接进行数据处理。此外，SK海力士与闪迪在大会期间宣布推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范，以推动HBF标准化工作。