长鑫存储DDR5内存良率达90%，采用17纳米工艺，宏碁华硕积极采用，戴尔全面禁止，惠普仅限中国大陆机型

长鑫存储在DDR5内存芯片领域取得进展，其采用17纳米级制造工艺的DDR5芯片良率已达到90%。该产品已具备规模化量产能力，并逐步向市场供应。与此同时，美光等国际存储企业依赖极紫外光刻机在更先进的10纳米级节点生产DDR5芯片，而长鑫存储因美国制裁限制，无法采用最前沿的光刻设备，技术路径上存在差异。

在PC厂商采用方面，宏碁和华硕已在面向中国大陆及其他新兴市场的机型中搭载长鑫存储的内存芯片，两家公司目前表现最为积极。戴尔则已全面禁止在其产品线中使用长鑫存储的芯片，惠普仅在专供中国大陆市场的限定产品中采用相关产品。

目前，宏碁与华硕对长鑫存储芯片的采购和使用规模仍较为有限。终端厂商对SK海力士、美光、三星电子这三大传统存储巨头的潜在市场反应存在顾虑，因此合作初期采取谨慎态度。长鑫存储在技术与供应链方面仍面临限制，其出货能力尚未达到与三大巨头同等水平。