长鑫科技拟进军NAND闪存市场，计划在北京新厂设研发生产线并开设研究所
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长鑫存储（688825.SH）正准备进军NAND闪存芯片市场。该市场目前由三星电子、SK海力士等韩国企业主导。此举将扩大长鑫存储的客户群，并使其在快速扩张的NAND闪存领域与中国竞争对手长江存储展开竞争。长鑫存储目前专攻动态随机存取存储器（DRAM）芯片。
长鑫存储计划在北京新工厂建立一条NAND闪存研发生生产线。该公司还在北京设立了一家研究所，相关项目包括NAND闪存的研发。长鑫存储已就其NAND计划与客户进行讨论，其中包括一家新成立的初创公司，该公司计划采购其NAND芯片用于人工智能系统和超级计算机中。目前尚不清楚该研发生生产线何时开始投产，也不清楚长鑫存储是否计划从研发和试生产阶段转向大规模商业化生产。
人工智能服务器的强劲需求导致全球存储供应短缺。DRAM是电子设备中最核心的短期记忆体，为处理器提供操作记忆。NAND闪存则广泛应用于手机、电脑和数据中心存储。