英特尔高数值孔径EUV晶圆累计处理量超100万片，称超过其他采用该技术厂商总和

英特尔晶圆代工部门于当地时间9月8日宣布，采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已超过100万片。该数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产环节。这一里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议期间公布的。英特尔表示，其高数值孔径EUV晶圆处理量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商的总和。

高数值孔径EUV是极紫外光刻技术的下一代版本，其数值孔径从传统EUV设备的0.33提升至0.55，能够在晶圆上形成更精细的图形，并减少部分复杂的多重曝光工艺。该技术对先进制程而言意味着更高的晶体管密度和更低的制造复杂度，但设备成本和工艺要求也相应更高。英特尔已在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机，并将其用于部分Intel 18A制程的生产。

英特尔并未将整个18A制程交由高数值孔径EUV完成，而是选择部分关键层进行生产。这些层同时通过高数值孔径EUV和传统0.33数值孔径EUV设备进行验证，以比较两种技术的制造表现。英特尔表示，采用高数值孔径EUV生产的部分18A层，其性能已达到或超过传统EUV平台制造的对应层。Panther Lake属于英特尔Core Ultra Series 3系列，采用18A制程，英特尔通过在部分产品层引入高数值孔径EUV，在不完全依赖新设备的情况下积累量产经验。

英特尔晶圆代工部门表示，高数值孔径EUV已进入量产阶段，公司正在持续优化设备设置、运行时间和制造流程。英特尔与ASML也在合作提高该技术的成熟度，并根据客户需求决定未来制程中采用高数值孔径EUV的范围。此外，英特尔正在推动更大尺寸光掩模的开发。

英特尔已与ASML、光掩模制造商、自动化设备供应商、EDA软件企业、材料供应商及其他芯片制造商合作，推动6×12英寸大型光掩模的标准化和配套基础设施建设。公司表示，客户目前可以通过现有6英寸光掩模使用高数值孔径EUV，既可以在掩模范围内设计芯片，也可以利用拼接技术和工艺设计套件解决更大面积的制造需求。英特尔目前将高数值孔径EUV应用于部分18A层，未来能否扩大应用范围取决于设备吞吐量、生产成本、良率以及客户对制程的实际需求。