拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地封顶，总投资近18亿元，年产能将超1000台

2026年8月10日，拓荆科技股份有限公司位于沈阳市浑南区的高端半导体设备产业化基地完成主体结构封顶。该项目由拓荆科技及其全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司共同投资建设，中国建筑第八工程局有限公司承建。项目占地147亩，总建筑面积15.6万平方米，总投资近18亿元。基地规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室与综合配套设施，并引入先进生产管理系统，定位为集规模化、智能化、数字化于一体的绿色智能化示范工厂。项目计划于2028年投入使用。

拓荆科技专注于薄膜沉积设备和三维集成领域设备的研发与产业化应用，产品应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术及图像传感器等领域。截至目前，拓荆科技产品已导入国内约100条芯片产线，客户端累计流片量约6亿片。公司已布局10余家子/孙公司，全国研发制造基地总规模接近30万平方米，先进制程设备持续通过客户端验证。

项目建成后，沈阳作为拓荆科技总部基地的最大产能规模将达到每年超过1000台，可支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等系列高端薄膜沉积设备的产业化，并推动公司业务规模扩大和新产品研发。该基地的建成将有助于促进区域供应链集聚，加强政校企研合作，为集成电路产业链供应链的自主可控提供支撑。