三星电子位于龙仁器兴园的8英寸氮化镓(GaN)晶圆代工产线在试产阶段遭遇可靠性问题；部分芯片在100至200摄氏度高温下持续运行约1000小时后失效；该产线月产能设计为1300至1500片晶圆

高温长期运行出现芯片失效，三星8英寸氮化镓晶圆代工产线量产进程受阻。该产线位于龙仁市器兴园区，在试生产阶段部分芯片于100至200摄氏度高温环境下持续运行约1000小时后出现失效，原定于2026年内量产的目标将被迫延后。

该产线为专用于氮化镓代工的8英寸线，设计月产能为1300至1500片晶圆。近期已为多家无晶圆厂客户完成试流片，但在后续可靠性验证中问题逐步暴露。此次失效直接影响氮化镓芯片在1200伏高压及超过200摄氏度高温场景下的应用。

三星已启动根因调查，聚焦晶圆制造工艺环节。三星的氮化镓外延片采用自研工艺，使用进口MOCVD设备在硅晶圆上生长氮化镓功能层。

三星电子相关负责人回应称，项目仍处于预生产阶段，正在攻克大规模量产前的常规开发挑战。“这属于试产阶段正常的问题排查流程，现阶段就判定相关现象为产品缺陷还为时尚早。”

该产线建设进程此前已历经多次调整。

在氮化镓代工领域，英飞凌、意法半导体、德州仪器、英诺赛科等厂商已商业出货氮化镓芯片一至两年，部分无晶圆厂客户已在评估格芯、力积电、X-FAB等替代代工伙伴。