三星电子在Hot Chips 2026大会预告议程中确认；其HBM4E高带宽存储器单针传输速率将达16Gbps；自2026年5月底起

在Hot Chips 2026大会的预告议程中，三星电子相关负责人Sangwook Han确认，公司正准备推出单针传输速率达到16Gbps的HBM4E高带宽存储器产品。自2026年5月底以来，三星已开始供应单针速率为14Gbps的HBM4E产品，此次向16Gbps迈进意味着其产品性能扩展和制程推进正按计划进行。作为对比，三星目前供应的HBM4产品单针速率为11.7Gbps，HBM4E在传输速度上实现了明显提升。

以目前的14Gbps规格计算，单个HBM4E堆栈配备2048个引脚时，理论最高带宽可达到3.6TB/s。若单针速率提升至16Gbps，单堆栈最高带宽将进一步增至4TB/s。

容量方面，三星目前可提供12层堆叠的HBM4E产品，单堆栈容量为48GB。面向后续客户需求，公司还计划推出8层、32GB版本，以及16层、64GB版本，以覆盖不同AI计算平台和封装方案的容量配置需求。

在制造技术上，三星HBM4E采用经过DRAM优化的第六代10纳米级工艺，并通过多层堆叠构建高带宽存储结构。此外，HBM4E还将搭载基于三星4纳米SF4工艺打造的定制化基础裸片，以适配客户在不同先进封装方案中的集成需求，并改善产品的灵活性与匹配度。