SK海力士宣布投资约54万亿韩元在韩国扩张芯片业务，清州M17厂19.1万亿韩元，龙仁厂35.2万亿韩元

SK海力士8月7日宣布，将投资54万亿韩元（约合381亿美元）在韩国本土新建两座存储芯片制造工厂。其中，35.2万亿韩元将投入位于龙仁半导体产业园的二期晶圆厂Y2，19.1万亿韩元用于建设清州的M17芯片厂。

龙仁Y2工厂是SK海力士在龙仁半导体集群规划的四座晶圆厂中的第二座，将作为高需求的动态随机存取存储器（DRAM）生产基地。该工厂计划于2027年7月动工，2029年6月启用首间无尘室，用于生产高带宽存储器（HBM）及其他下一代DRAM产品。清州M17工厂将生产NAND存储器，计划于2027年2月动工，2028年12月启用首间无尘室。

据SK海力士在韩国交易所的披露，清州M17芯片厂的投资计划于2031年4月30日前完成，龙仁二期晶圆厂投资计划于2031年10月31日前完成。相关投资决定是公司2026年6月宣布的中长期投资战略的一部分。根据此前公布的总体计划，SK海力士将向龙仁半导体集群投资600万亿韩元，并投入100万亿韩元扩建清州生产基地。

SK海力士在新闻稿中表示，存储器价格因供应短缺以及人工智能基础设施建设带来的需求增长而持续上涨，数据中心和芯片企业需要大量高带宽存储器。公司称，在人工智能时代，仅具备技术竞争力并不足够，能够在客户需要的时点供应所需数量是最终的竞争优势，此次投资决定是在充分研究市场需求后作出的。