韩国半导体产业协会2026年评估：长江存储与长鑫存储缩小技术差距，NAND约1年、DRAM约2年、HBM约3年

长期以来，三星电子和SK海力士在全球存储市场占据领先地位。韩国半导体产业协会的评估显示，中国两大存储器企业长江存储与长鑫存储在关键技术领域的差距已明显缩小，其中NAND闪存领域的技术差距约为1年，DRAM领域约为2年，高带宽存储器（HBM）领域约为3年。数年前，业界普遍认为中国存储器产业与国际先进水平之间存在接近5年的技术代差，这一差距目前在多个细分领域已被压缩。

在NAND闪存领域，长江存储是中国最大的NAND厂商，持续推进高层数3D NAND技术研发。行业数据显示，三星电子和SK海力士于2025年开始量产300层级NAND产品，长江存储已具备270层产品生产能力。在DRAM领域，三星电子和SK海力士于2023年开始量产DDR5产品，长鑫存储于2025年进入DDR5时代，并已实现LPDDR5X量产，开始推进LPDDR6产品的生产工作。

HBM是中国存储产业与国际领先水平差距最大的领域，目前评估差距约为3年。长鑫存储已开始HBM3E产品试生产，但良率仍处于较低水平，在TSV硅通孔垂直互联等核心制造环节仍面临技术挑战。为推进HBM研发，长鑫存储与长江存储展开合作，利用长江存储的Xtacking混合键合技术构建HBM产品。与传统通过微凸点连接存储芯片的方式不同，铜对铜混合键合技术可直接连接不同晶圆层，缩短电路路径，提高堆叠效率。