SK海力士考虑多重曝光EUV或High-NA单次曝光技术量产下一代DRAM，已引入PSM；三星计划2029年量产1.4nm工艺
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SK海力士在“下一代光刻+图案化”会议（NGL 2026）上表示，正在考虑多重曝光EUV或引入高数值孔径（High-NA）单次曝光技术，以大规模生产极致微工艺。公司已开始全面引入相移掩模版（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能，相关技术研发于2026年全面启动。
三星电子也着手于High-NA EUV技术的研发，计划将其应用于存储芯片量产。
相移掩模版（PSM）是掩模版中的一种，能够同时控制光强与光相位，通过相消干涉压制衍射伪影，从而释放High-NA EUV的理论分辨率。2025年，三星电子曾尝试将PSM引入EUV光刻技术，公司高管指出技术发展趋势正从二元掩模转向PSM。