据《The Information》报道；中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存；目前仍落后于转向HBM4E生产的韩国企业约两代

长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存。该公司目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代，但相关生产已进入风险试产阶段，当前HBM3E的产量规模非常有限。

长鑫存储尚未公布其HBM3E内存的具体规格。根据JEDEC标准，该产品应采用1024-bit位宽，单引脚传输速率介于9.2 Gbps至12.4 Gbps之间，大多数标准配置的目标速率为9.6 Gbps，总带宽约为1.2 TB/s。容量方面，采用8层堆叠时为24 GB，采用12层堆叠时为36 GB，均基于单层24 Gb的DRAM芯片。

长鑫存储的晶圆厂洁净室建设周期约为12个月，而其他厂商通常需要两年左右。目前，长鑫存储运营着多座生产设施，其中包括位于合肥和北京的两座12英寸晶圆厂，每座月产能约为10万片，公司当前总产能约为每月20万片晶圆。

随着上海和合肥的相关工厂建成并全面投入运营，长鑫存储计划将月产能提升至约60万片，相当于当前水平的三倍。目前尚不清楚其中有多少产能会用于生产HBM内存。