长电科技宣布高深宽比TSV技术研发取得进展并完成样品试制
本文是 24TopNews 对公开财经信息完成重复合并后的事件分析，不是原始采访或证券推荐。
8月19日，长电科技宣布在高深宽比先进TSV（硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。该TSV制备方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更完整、灵活的一站式制造支撑。
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8月19日，长电科技宣布在高深宽比先进TSV（硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并与合作伙伴共同完成样品试制。该TSV制备方案面向2.5D/3D先进封装、硅基互连和多维异质异构集成等高端先进封装应用，旨在增强公司在微系统集成平台中的关键底层工艺能力，为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更完整、灵活的一站式制造支撑。