三星电子公布下一代存储器战略：HBM5性能较HBM4E提升2倍，zNAND-O计划2028年送样

三星电子于2026年9月1日公布下一代存储器战略，计划将下一代高带宽存储器HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，每瓦性能提升20%，热阻降低20%。面向HBM5之后的zHBM，三星设定的目标为性能较HBM4E提升8倍，每瓦性能提升3倍，热阻降低75%至90%。

为满足大语言模型（LLM）对大容量存储器的需求，三星还正在推进zNAND-O的开发。其目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍，并计划于2028年开始供应样品。

三星将上述下一代存储器技术方向归纳为“CUBE”战略，代表容量、利用率、带宽以及功耗与热效率。其核心并非单纯进行存储器垂直堆叠，而是利用三维结构同时提升容量、带宽及能效。三星计划将产品阵容从通用DRAM、NAND扩展到HBM、企业级SSD，以及下一代zHBM和zNAND-O。相关信息在9月2日至4日举行的半导体行业活动上对外公布。