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韩国半导体产业协会2026年评估：长江存储与长鑫存储缩小技术差距，NAND约1年、DRAM约2年、HBM约3年
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长期以来，三星电子和SK海力士在全球存储市场占据领先地位。韩国半导体产业协会的评估显示，中国两大存储器企业长江存储与长鑫存储在关键技术领域的差距已明显缩小，其中NAND闪存领域的技术差距约为1年，DRAM领域约为2年，高带宽存储器（HBM）领域约为3年。数年前，业界普遍认为中国存储器产业与国际先进水平之间存在接近5年的技术代差，这一差距目前在多个细分领域已被压缩。
在NAND闪存领域，长江存储是中国最大的NAND厂商，持续推进高层数3D NAND技术研发。行业数据显示，三星电子和SK海力士于2025年开始量产30
关联行业
影响路径
长江存储与长鑫存储在NAND、DRAM和HBM领域缩小与三星电子、SK海力士的差距，利好国内半导体产业链国产化与先进封装环节；但HBM良率低、差距约3年，短期业绩兑现有限。
技术追赶缩小差距国产存储扩产带动设备材料需求HBM合作推进混合键合与先进封装供应链自主可控预期